Физические процессы в полупроводниках при облучении быстрыми частицами. Теория и расчет
Краткое содержание
С позиций радиационной технологии микроэлектроники процесс смещения атомов из узлов кристаллической решетки наиболее интересен, поскольку именно он в первую очередь определяет концентрацию и свойства вторичных радиационных дефектов – радиационных центров (РЦ), образующихся в результате последующего взаимодействия компонент пар Френкеля с имеющимися до облучения точечными дефектами. Стабильные во времени и по температуре РЦ действуют в полупроводнике подобно донорам, акцепторам или рекомбинационным примесям, что позволяет управлять основными электрофизическими и даже геометрическими характеристиками активных областей неоднородной структуры и изменять в широком диапазоне параметры ППП или ИС в конце цикла их изготовления
В нашей библиотеке Вы имеете возможность скачать книгу Физические процессы в полупроводниках при облучении быстрыми частицами. Теория и расчет В. Н. Мурашев или читать онлайн в формате pdf, а также можете купить бумажную книгу в интернет магазине партнеров.
