Анализ процессов в полупроводниковых устройствах. Часть 5
Краткое содержание
В четвертой части учебного пособия подробно изложена физика процессов, происходящих в полевых транзисторах с барьером Шоттки на арсениде галлия, наиболее быстродействующих и широко применяемых в СВЧ-диапазоне. Рассмотрена электрофизическая модель на данный тип транзисторов и приведены практические результаты, доказывающие правомерность такой модели. Данная часть пособия полезна студентам, специализирующимся в проектировании быстродействующих электронных средств по твердотельной технологии.
В нашей библиотеке Вы имеете возможность скачать книгу Анализ процессов в полупроводниковых устройствах. Часть 5 Юрий Раков или читать онлайн в формате pdf, а также можете купить бумажную книгу в интернет магазине партнеров.
